入手可能で安価な、4V駆動S/W用途のMOS FETを用いて、
・2SK4017 / 2SJ681 Ciss 730pF / 700pF
Crss 60pF / 60pF
Coss 95pF / 90pF
・2SK2232 / 2SJ334 Ciss 1000pF / 3300pF
Crss 200pF / 460pF
Coss 550pF / 1450pF
simpleな回路構成でpower ampを制作してみたいと思います。
一般的に、入力容量が一桁違う2SK2232 / 2SJ334をAudio用途として終段に使う場合、
この入力容量を充放電する為、低出力インピーダンスのドライバー回路を設置しなければなりません。
しかし、今回は「Audiophileとしては決して容認できない」電圧増幅段で直接終段MOS FETを駆動する回路構成では、どういう特性結果になるか? と言う試みです。
基本構成は、unregulated (raw) DC supply、上下対称J-FET差動入力、
Power MOS FET電圧増幅段、Power MOS FET終段とし、DC offset driftは
Complementary Dual-FETとpassive DC Servoに委ねます。
従って初段には、以下どれかのComplementary Dual-FETが必要条件となります。
・2SK389 / 2SJ109 (1 Chip Dual-FET)
・2SK146 (2SK147×2) / 2SJ 73 (2SJ 72×2) Dual-FET
・2SK240 (2SK170×2) / 2SJ 75 (2SJ 74×2) Dual-FET 等々
しかし、Dual-FETは絶版になって久しく、まず入手は叶わず、Complementary Dual-FETとなると絶望的と言う状況なので、現実的には単体のJ-FETを厳密に選別してComplementary-pairを合わせて行く困難な作業が必要です。更にDC offset調整は初段FET上下source間にpotを挿入して交互にoffsetを絞り込んで行く至難の業が求められます。
・アイドル電流は、手持ちの放熱板の形状から低目の30～35mA程度に設定。
以前のChapter 17 " Simple - Power MOS FET Amp "の実験では温度補償が過剰でしたが、
今回の加熱テストでは、90mA前後まで上がり落ち着きを見せるので、温度補償は効いていますが、不足気味です。(MOS FETはNタイプとPタイプでも温度係数が異なる為、適正な温度補償を施す事は困難を極めます)
・単体のJ-FETをどんなに厳密に選別したとしても、勿論Dual-FETに太刀打ちできません。
また、初段FET上下source間に挿入したpotを動かすと、勿論、電圧増幅段と終段のMOS FETのバイアス電圧が変動するので細心の注意が必要です。結局DC offset drift調整は、15～20mV程度で挫けました。(power ampとしての実用性を考慮すると若干危惧される数値)
・周波数特性に関して、10kHz程度までは綺麗な波形で普通に使えます。しかし、20kHzを越えると急激に低下し、それと共に歪み率も同様と思われ実用に耐えません。over drive時の飽和波形は上下突端に発振気味の暴れが生じます。出力インピーダンスの大きいMOS FET電圧増幅段で、一桁高い入力容量をドライブする事から生じる結果でもあります。
・2SK4017 / 2SJ681 Ciss 730pF / 700pF
Crss 60pF / 60pF
Coss 95pF / 90pF
・2SK2232 / 2SJ334 Ciss 1000pF / 3300pF
Crss 200pF / 460pF
Coss 550pF / 1450pF
simpleな回路構成でpower ampを制作してみたいと思います。
一般的に、入力容量が一桁違う2SK2232 / 2SJ334をAudio用途として終段に使う場合、
この入力容量を充放電する為、低出力インピーダンスのドライバー回路を設置しなければなりません。
しかし、今回は「Audiophileとしては決して容認できない」電圧増幅段で直接終段MOS FETを駆動する回路構成では、どういう特性結果になるか? と言う試みです。
基本構成は、unregulated (raw) DC supply、上下対称J-FET差動入力、
Power MOS FET電圧増幅段、Power MOS FET終段とし、DC offset driftは
Complementary Dual-FETとpassive DC Servoに委ねます。
従って初段には、以下どれかのComplementary Dual-FETが必要条件となります。
・2SK389 / 2SJ109 (1 Chip Dual-FET)
・2SK146 (2SK147×2) / 2SJ 73 (2SJ 72×2) Dual-FET
・2SK240 (2SK170×2) / 2SJ 75 (2SJ 74×2) Dual-FET 等々
しかし、Dual-FETは絶版になって久しく、まず入手は叶わず、Complementary Dual-FETとなると絶望的と言う状況なので、現実的には単体のJ-FETを厳密に選別してComplementary-pairを合わせて行く困難な作業が必要です。更にDC offset調整は初段FET上下source間にpotを挿入して交互にoffsetを絞り込んで行く至難の業が求められます。
・アイドル電流は、手持ちの放熱板の形状から低目の30～35mA程度に設定。
以前のChapter 17 " Simple - Power MOS FET Amp "の実験では温度補償が過剰でしたが、
今回の加熱テストでは、90mA前後まで上がり落ち着きを見せるので、温度補償は効いていますが、不足気味です。(MOS FETはNタイプとPタイプでも温度係数が異なる為、適正な温度補償を施す事は困難を極めます)
・単体のJ-FETをどんなに厳密に選別したとしても、勿論Dual-FETに太刀打ちできません。
また、初段FET上下source間に挿入したpotを動かすと、勿論、電圧増幅段と終段のMOS FETのバイアス電圧が変動するので細心の注意が必要です。結局DC offset drift調整は、15～20mV程度で挫けました。(power ampとしての実用性を考慮すると若干危惧される数値)
・周波数特性に関して、10kHz程度までは綺麗な波形で普通に使えます。しかし、20kHzを越えると急激に低下し、それと共に歪み率も同様と思われ実用に耐えません。over drive時の飽和波形は上下突端に発振気味の暴れが生じます。出力インピーダンスの大きいMOS FET電圧増幅段で、一桁高い入力容量をドライブする事から生じる結果でもあります。
