Chapter 17 " Simple - Power MOS FET Amp " (Ⅱ)

　前回作成した2段差動+カレント・ミラー負荷with raw DC supplies 回路から更に部品点数を減らし、よりsimple な回路構成を試作してみます。 2段目電圧増幅段をどうするかと言う事ですが、raw DC supplyにするには抵抗負荷では難しく、電源電圧変動に強い定電流負荷にしなければなりません。そこで、2段目電圧増幅段は(Trの使用数を1/2にする)エミッター接地増幅+定電流負荷とします。

　製作しやすくスッキリとした回路構成になりましたが、DC offset drift は微動し、2段差動+カレント・ミラー負荷には及びません。それは、2段目エミッター接地電圧増幅Trの温度係数による変動が、初段差動FETのバランスを崩しDC offsetの微動を誘発するからです。そこで実用性を考慮すると、下記(米)レイセオン社オリジナルOP-Amp”RC4558 (国内では新日本無線(株)”NJM4558が有名)等の内部構造が参考になります。初段カレント・ミラー負荷、2段目エミッター接地電圧増幅Trにエミッタ・フォロワー追加(変形ダーリントン接続?) が組み込まれています。

　OP-Ampに倣って今回の回路に追加してみると下図の様に複雑となり、simpleとは程遠い回路になってしまい、実際的ではありません。

　つまりは、半導体が持つ温度係数から生じる変動を如何に相殺し、回避する回路構成にするか、と言う事に尽きます。