“MOSFET をemitter followerでゲート・ドライブする” [考察Ⅲ]

  前回の初段バイアス部分を変更し、MOSFETゲート・ドライブ回路をより部品点数が少なく、実装が容易なemitter followerドライブで試作しました。

            

 

 

  

  前回のpush-pullゲート・ドライブ回路と特性的に遜色なく、部品点数が少ない分実装作業が軽減され、
低インピーダンス出しで、Power MOSFETにとっても望ましいか?

“MOSFET Power Ampゲート・ドライブ回路は必要か?” [考察Ⅱ]

  前回の初段J-FET上下対象差動から、大量に在庫を有するC1815/A1015初段差動に設計変更して制作します。

  発振症状に悩まされ、対策に腐心しました。
f特は初段FET差動よりもC1815/A1015初段差動の方が伸びています。
ゲート・ドライブの為にこれだけの部品点数を増やし、面倒な組付けをした回路が、
出音として聴覚的に成果が聴取出来たかどうか、私には甚だ疑問です。

 一番最初に制作した、部品点数が少なくシンプルな回路が実用的だと思われます。