2026年9月27日日曜日

“MOSFET をemitter followerでゲート・ドライブする” [考察Ⅲ]

  前回の初段バイアス部分を変更し、MOSFETゲート・ドライブ回路をより部品点数が少なく、実装が容易なemitter followerドライブで試作しました。


            

















 

 

  

  前回のpush-pullゲート・ドライブ回路と特性的に遜色なく、部品点数が少ない分実装作業が軽減され、
低インピーダンス出しで、Power MOSFETにとっても望ましいか?




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